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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 47 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 47 A | 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 188 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPI47N10S-33 | INFINEON |
类似代替  |
SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode |
|
| SPI47N10 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB47N10SL-26 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor N-Channel Enhancement mode Logic Level |
|
| IPB48007A050V-001 | TDK |
获取价格 |
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 35W, Hybrid |
|
| IPB48010A015V-001 | TDK |
获取价格 |
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 15W, Hybrid |
|
| IPB48010A018V-001 | TDK |
获取价格 |
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 18W, Hybrid |
|
| IPB48010A025V-001 | TDK |
获取价格 |
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 25W, Hybrid |
|
| IPB48010A033V-001 | TDK |
获取价格 |
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 35W, Hybrid |
|
| IPB50CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPB50N10S3L-16 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPB50N10S3L16ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.0206ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB50N12S3L-15 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
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