是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 7.9 |
雪崩能效等级(Eas): | 616 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 23 A | 最大漏极电流 (ID): | 23 A |
最大漏源导通电阻: | 0.14 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 192 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 56 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB50R140CPXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IPB50R199CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor | |
IPB50R250CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor | |
IPB50R250CPATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IPB50R299CP | INFINEON |
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CoolMOSTM Power Transistor | |
IPB50R299CPATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB530N15N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPB530N15N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB600N25N3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,完全适合在 48V 系统、直 | |
IPB600N25N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |