是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 2.26 | 雪崩能效等级(Eas): | 60 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 150 V | 最大漏极电流 (ID): | 21 A |
最大漏源导通电阻: | 0.053 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 84 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB600N25N3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,完全适合在 48V 系统、直 | |
IPB600N25N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | |
IPB600N25N3G_10 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPB600N25N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IPB60R040C7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ C7 超级结(SJ)MOSFET 系列比 CoolMOS™ C | |
IPB60R040CFD7 | INFINEON |
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Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction M | |
IPB60R045P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS | |
IPB60R055CFD7 | INFINEON |
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Infineon’s 600V CoolMOS? CFD7 Superjunction M | |
IPB60R060C7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ C7 超级结(SJ)MOSFET 系列比 CoolMOS™ C | |
IPB60R060P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |