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IPB530N15N3GATMA1

更新时间: 2024-11-18 19:55:43
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 944K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

IPB530N15N3GATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:2.26雪崩能效等级(Eas):60 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (ID):21 A
最大漏源导通电阻:0.053 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):84 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB530N15N3GATMA1 数据手册

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IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G  
IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
150  
53  
V
• N-channel, normal level  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
21  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPB530N15N3 G  
IPD530N15N3 G  
IPI530N15N3 G  
IPP530N15N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
530N15N  
PG-TO252-3  
530N15N  
PG-TO262-3  
530N15N  
PG-TO220-3  
530N15N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
21  
15  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
84  
I D=18 A, R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
60  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
68  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 2.6  
page 1  
2013-07-09  

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