Datasheet > IPB60R090CFD7

IPB60R090CFD7

更新时间： 2024-11-06 19:59:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
14页	1255K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB60R090CFD7 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Base Number Matches：	1

IPB60R090CFD7 数据手册

IPB60R090CFD7

MOSFET

D²PAK

600VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀisꢀthe

successorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀCFD2ꢀseriesꢀandꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatform

tailoredꢀtoꢀtargetꢀsoftꢀswitchingꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀphase-shiftꢀfull-bridge

(ZVS)ꢀandꢀLLC.ꢀResultingꢀfromꢀreducedꢀgateꢀchargeꢀ(Q_g),ꢀbest-in-class

reverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Q_rr)ꢀandꢀimprovedꢀturnꢀoffꢀbehaviorꢀCoolMOS™

CFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonantꢀtopologies.ꢀAsꢀpartꢀofꢀInfineon’s

fastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblendsꢀallꢀadvantagesꢀof

aꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhardꢀcommutation

robustness,ꢀwithoutꢀsacrificingꢀeasyꢀimplementationꢀinꢀtheꢀdesign-in

process.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiencyꢀand

reliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity

solutions.ꢀAltogether,ꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀmakesꢀresonantꢀswitching

topologiesꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀreliable,ꢀlighterꢀandꢀcooler.

tab

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Features

•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode

Source

Pin 3

•ꢀLowꢀgateꢀcharge

•ꢀBest-in-classꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Q_rr)

•ꢀImprovedꢀMOSFETꢀreverseꢀdiodeꢀdv/dtꢀandꢀdi_F/dtꢀruggedness

•ꢀLowestꢀFOMꢀR_DS(on)*Q_gꢀandꢀR_DS(on)*E_oss

•ꢀBest-in-classꢀR_DS(on)ꢀinꢀSMDꢀandꢀTHDꢀpackages

Benefits

•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀHighestꢀreliabilityꢀforꢀresonantꢀtopologies

•ꢀHighestꢀefficiencyꢀwithꢀoutstandingꢀease-of-useꢀ/ꢀperformanceꢀtradeoff

•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions

Potentialꢀapplications

SuiteableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies

Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,

Telecom,ꢀEVꢀCharging

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

5.9

µJ

1300

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

IPB60R090CFD7

Package

Marking

RelatedꢀLinks

PG-TO 263-3

60R090F7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2019-05-17

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与IPB60R090CFD7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB60R099C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPB60R099C7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C
IPB60R099C7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R099CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPB60R099CPA	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPB60R099CPAATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R099CPATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R099P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPB60R105CFD7	INFINEON	获取价格	Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction M
IPB60R120C7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C

与IPB60R090CFD7相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB60R090CFD7

IPB60R090CFD7 技术参数

IPB60R090CFD7 数据手册

与IPB60R090CFD7相关器件

与IPB60R090CFD7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB60R090CFD7

IPB60R090CFD7 技术参数

IPB60R090CFD7 数据手册

与IPB60R090CFD7相关器件

与IPB60R090CFD7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？