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IPB60R040C7

更新时间： 2024-11-02 11:15:03

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英飞凌 - INFINEON		开关功率因数校正
页数	文件大小	规格书
14页	1209K
描述
600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！

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IPB60R040C7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.78	湿度敏感等级：	1
最低工作温度：	-55 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

IPB60R040C7 数据手册

IPB60R040C7

MOSFET

D²PAK

600VꢀCoolMOSªꢀC7ꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀC7ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

tab

600VꢀCoolMOS™ꢀC7ꢀseriesꢀcombinesꢀtheꢀexperienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJ

MOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhighꢀclassꢀinnovation.

Theꢀ600VꢀC7ꢀisꢀtheꢀfirstꢀtechnologyꢀeverꢀwithꢀR_DS(on)*Aꢀbelowꢀ1Ohm*mm².

Features

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀhighꢀperformanceꢀLLC)

•ꢀIncreasedꢀMOSFETꢀdv/dtꢀruggednessꢀtoꢀ120V/ns

•ꢀIncreasedꢀefficiencyꢀdueꢀtoꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀR_DS(on)*E_ossꢀandꢀR_DS(on)*Q_g

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀ/package

Drain

Pin 2, Tab

•ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20

andꢀJESD22)

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

Benefits

•ꢀIncreasedꢀeconomiesꢀofꢀscaleꢀbyꢀuseꢀinꢀPFCꢀandꢀPWMꢀtopologiesꢀinꢀthe

application

•ꢀHigherꢀdv/dtꢀlimitꢀenablesꢀfasterꢀswitchingꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀefficiency

•ꢀEnablingꢀhigherꢀsystemꢀefficiencyꢀbyꢀlowerꢀswitchingꢀlosses

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀdueꢀtoꢀsmallerꢀpackages

•ꢀSuitableꢀforꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀserver,ꢀtelecomꢀandꢀsolar

•ꢀHigherꢀswitchingꢀfrequenciesꢀpossibleꢀwithoutꢀlossꢀinꢀefficiencyꢀdueꢀto

lowꢀEossꢀandꢀQg

Applications

PFCꢀstagesꢀandꢀPWMꢀstagesꢀ(TTF,ꢀLLC)ꢀforꢀhighꢀpower/performance

SMPSꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Q_g.typ

Value

650

Unit

mΩ

107

211

I_D,pulse

I_D,continuous@ T_j<150°C 73

E_oss@400V

12.6

450

µJ

Body diode di/dt

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPB60R040C7

PG-TO 263

60C7040

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-03-01

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB60R040CFD7	INFINEON	获取价格	Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction M
IPB60R045P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPB60R055CFD7	INFINEON	获取价格	Infineon’s 600V CoolMOS? CFD7 Superjunction M
IPB60R060C7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C
IPB60R060P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPB60R060P7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPB60R070CFD7	INFINEON	获取价格	Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction M
IPB60R080P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPB60R080P7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPB60R090CFD7	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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