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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 31 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 31 A | 最大漏源导通电阻： | 0.105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 255 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 93 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB60R099C6 | INFINEON |
类似代替  |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPB60R099CP | INFINEON |
类似代替 |
CoolMOS Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB60R099CPAATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB60R099CPATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB60R099P7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPB60R105CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction M |
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| IPB60R120C7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C |
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| IPB60R120C7ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB60R120P7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
|
| IPB60R120P7ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPB60R125C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPB60R125C6ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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