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IPB60R080P7

更新时间： 2024-11-07 11:16:15

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1351K
描述
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

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IPB60R080P7 数据手册

IPB60R080P7

MOSFET

D²PAK

600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor

TheꢀCoolMOS™ꢀ7thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor

highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction

(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V

CoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseries.ꢀIt

combinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellentꢀease

ofꢀuse,ꢀe.g.ꢀveryꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀoutstandingꢀrobustnessꢀofꢀbody

diodeꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀandꢀexcellentꢀESDꢀcapability.

Furthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmake

switchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompactꢀandꢀmuch

cooler.

tab

Features

Drain

Pin 2, Tab

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀLLC)ꢀdueꢀtoꢀanꢀoutstanding

ꢀꢁcommutationꢀruggedness

•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses

•ꢀExcellentꢀESDꢀrobustnessꢀ>2kVꢀ(HBM)ꢀforꢀallꢀproducts

•ꢀBetterꢀR_DS(on)/packageꢀproductsꢀcomparedꢀtoꢀcompetitionꢀenabledꢀbyꢀa

ꢀꢁlowꢀR_DS(on)*Aꢀ(belowꢀ1Ohm*mm²)

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

•ꢀFullyꢀqualifiedꢀacc.ꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Benefits

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage

ꢀꢁacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages

•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀdueꢀtoꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction

ꢀꢁlosses

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith

ꢀꢁsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀtoꢀ>2ꢀkVꢀESD

ꢀꢁprotection

•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges

Potentialꢀapplications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀꢀꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,ꢀTelecom

andꢀUPS.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

110

5.5

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

µJ

900

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB60R080P7

PG-TO 263-3

60R080P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-05-15

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB60R080P7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPB60R090CFD7	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPB60R099C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPB60R099C7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C
IPB60R099C7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R099CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPB60R099CPA	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPB60R099CPAATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R099CPATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R099P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO

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