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IPB60R099CPATMA1

更新时间： 2024-11-06 19:56:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 589K
描述
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB60R099CPATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.8雪崩能效等级（Eas）：800 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.099 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：93 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB60R099CPATMA1 数据手册

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IPB60R099CPATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB34NM60ND STMICROELECTRONICS

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