型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB60R060P7ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPB60R070CFD7 | INFINEON |
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Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction M | |
IPB60R080P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO | |
IPB60R080P7ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPB60R090CFD7 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IPB60R099C6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | |
IPB60R099C7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ C7 超级结(SJ)MOSFET 系列比 CoolMOS™ C | |
IPB60R099C7ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB60R099CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor | |
IPB60R099CPA | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |