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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 1.61 | 雪崩能效等级（Eas）： | 78 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 66 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB60R120P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPB60R120P7ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IPB60R125C6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| IPB60R125C6ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB60R125CFD7 | INFINEON |
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This 600V CoolMOS? CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R125CFD7?in D2PAK package is?Infineon's |
|
| IPB60R125CP | INFINEON |
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CoolMOSTM Power Transistor |
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| IPB60R145CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
This?600V CoolMOS? CFD7?Superjunction MOSFET IPB60R145CFD7?in D2PAK package is?Infineon's |
|
| IPB60R160C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPB60R160P6 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| IPB60R160P6_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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