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IPB60R040CFD7

更新时间： 2024-09-16 11:12:35
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
14页 1273K
描述
Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R040CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements.  As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.  

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IPB60R040CFD7 数据手册

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IPB60R040CFD7  
MOSFET  
D²PAK  
600VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀPowerꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀisꢀthe  
successorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀCFD2ꢀseriesꢀandꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatform  
tailoredꢀtoꢀtargetꢀsoftꢀswitchingꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀphase-shiftꢀfull-bridge  
(ZVS)ꢀandꢀLLC.ꢀResultingꢀfromꢀreducedꢀgateꢀchargeꢀ(Qg),ꢀbest-in-class  
reverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)ꢀandꢀimprovedꢀturnꢀoffꢀbehaviorꢀCoolMOS™  
CFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonantꢀtopologies.ꢀAsꢀpartꢀofꢀInfineon’s  
fastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblendsꢀallꢀadvantagesꢀof  
aꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhardꢀcommutation  
robustness,ꢀwithoutꢀsacrificingꢀeasyꢀimplementationꢀinꢀtheꢀdesign-in  
process.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiencyꢀand  
reliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity  
solutions.ꢀAltogether,ꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀmakesꢀresonantꢀswitching  
topologiesꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀreliable,ꢀlighterꢀandꢀcooler.  
tab  
2
1
3
Drain  
Pin 2, Tab  
Gate  
Pin 1  
Features  
•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode  
Source  
Pin 3  
•ꢀLowꢀgateꢀcharge  
•ꢀBest-in-classꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)  
•ꢀImprovedꢀMOSFETꢀreverseꢀdiodeꢀdv/dtꢀandꢀdiF/dtꢀruggedness  
•ꢀLowestꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀBest-in-classꢀRDS(on)ꢀinꢀSMDꢀandꢀTHDꢀpackages  
Benefits  
•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀHighestꢀreliabilityꢀforꢀresonantꢀtopologies  
•ꢀHighestꢀefficiencyꢀwithꢀoutstandingꢀease-of-useꢀ/ꢀperformanceꢀtradeoff  
•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions  
Potentialꢀapplications  
SuiteableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies  
Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,  
Telecom,ꢀEVꢀCharging  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
Unit  
650  
V
40  
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
108  
ID,pulse  
212  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
12.5  
1300  
µJ  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
IPB60R040CFD7  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
PG-TO 263-3  
60R040F7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2019-05-22  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB60R045P7 INFINEON

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 		600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPB60R055CFD7 INFINEON

获取价格

 		Infineon’s 600V CoolMOS? CFD7 Superjunction M
IPB60R060C7 INFINEON

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 		600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C
IPB60R060P7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPB60R060P7ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPB60R070CFD7 INFINEON

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 		Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction M
IPB60R080P7 INFINEON

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 		600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPB60R080P7ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPB60R090CFD7 INFINEON

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IPB60R099C6 INFINEON

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 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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