5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPB600N25N3GATMA1
IPB600N25N3GATMA1 PDF预览

IPB600N25N3GATMA1

更新时间： 2024-11-18 21:09:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 633K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPB600N25N3GATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.67
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB600N25N3GATMA1 数据手册

 浏览型号IPB600N25N3GATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB600N25N3GATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB600N25N3GATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB600N25N3GATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB600N25N3GATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB600N25N3GATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPB600N25N3 G IPP600N25N3 G  
IPI600N25N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
250  
60  
V
• N-channel, normal level  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
25  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
Type  
IPB600N25N3 G  
IPP600N25N3 G  
IPI600N25N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
600N25N  
PG-TO220-3  
600N25N  
PG-TO262-3  
600N25N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
25  
18  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
100  
210  
I D=25 A, R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
10  
kV/µs  
V GS  
Gate source voltage  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
136  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3  
Rev. 2.3  
page 1  
2011-07-14  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与IPB600N25N3GATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB60R040C7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C
IPB60R040CFD7 INFINEON

获取价格

 		Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction M
IPB60R045P7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPB60R055CFD7 INFINEON

获取价格

 		Infineon’s 600V CoolMOS? CFD7 Superjunction M
IPB60R060C7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C
IPB60R060P7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPB60R060P7ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPB60R070CFD7 INFINEON

获取价格

 		Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction M
IPB60R080P7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPB60R080P7ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S

与IPB600N25N3GATMA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证