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IPB60R120P7ATMA1 PDF预览

IPB60R120P7ATMA1

更新时间： 2024-11-06 21:22:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1263K
描述
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

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IPB60R120P7ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.61雪崩能效等级（Eas）：82 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：78 A表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB60R120P7ATMA1 数据手册

 浏览型号IPB60R120P7ATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB60R120P7ATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB60R120P7ATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB60R120P7ATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB60R120P7ATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB60R120P7ATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPB60R120P7  
MOSFET  
D²PAK  
600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor  
TheꢀCoolMOS™ꢀ7thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor  
highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction  
(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V  
CoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseries.ꢀIt  
combinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellentꢀease  
ofꢀuse,ꢀe.g.ꢀveryꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀoutstandingꢀrobustnessꢀofꢀbody  
diodeꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀandꢀexcellentꢀESDꢀcapability.  
Furthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmake  
switchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompactꢀandꢀmuch  
cooler.  
tab  
2
1
3
Features  
Drain  
Pin 2  
•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀLLC)ꢀdueꢀtoꢀanꢀoutstanding  
ꢀꢁcommutationꢀruggedness  
•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses  
•ꢀExcellentꢀESDꢀrobustnessꢀ>2kVꢀ(HBM)ꢀforꢀallꢀproducts  
•ꢀBetterꢀRDS(on)/packageꢀproductsꢀcomparedꢀtoꢀcompetitionꢀenabledꢀbyꢀa  
ꢀꢁlowꢀRDS(on)*Aꢀ(belowꢀ1Ohm*mm²)  
Gate  
Pin 1  
Source  
Pin 3  
Benefits  
•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage  
ꢀꢁacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages  
•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀdueꢀtoꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction  
ꢀꢁlosses  
•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith  
ꢀꢁsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀtoꢀ>2ꢀkVꢀESD  
ꢀꢁprotection  
•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges  
Potentialꢀapplications  
PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages  
forꢀe.g.ꢀꢀꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,ꢀTelecom  
andꢀUPS.  
ProductꢀValidation:ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀthe  
relevantꢀtestsꢀofꢀJEDEC47/20/22  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
650  
120  
36  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
ID,pulse  
78  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
4.0  
µJ  
900  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPB60R120P7  
PG-TO 263-3  
60R120P7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2017-09-29  
1234567...14

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与IPB60R120P7ATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB60R125C6 INFINEON

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 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPB60R125C6ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R125CFD7 INFINEON

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 		This 600V CoolMOS? CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R125CFD7?in D2PAK package is?Infineon's
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 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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 		Material Content Data Sheet
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 		CoolMOS Power Transistor
IPB60R165CPATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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