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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 47 A | 最大漏极电流 (ID)： | 47 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 188 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB47N10S-33 | INFINEON |
类似代替  |
SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI47N10SL-26 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor N-Channel Enhancement mode Logic Level |
|
| IPI47N10SL26AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPI506 | ETC |
获取价格 |
NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
|
| IPI507 | ETC |
获取价格 |
NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
|
| IPI508 | ETC |
获取价格 |
NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
|
| IPI508P | ETC |
获取价格 |
NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
|
| IPI509 | ETC |
获取价格 |
NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
|
| IPI50CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPI50CN10NGHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPI50N10S3L-16 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
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