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IPB50R299CP PDF预览

IPB50R299CP

更新时间： 2024-09-15 11:08:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 293K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

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IPB50R299CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.81
雪崩能效等级（Eas）：289 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.299 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：104 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB50R299CP 数据手册

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IPB50R299CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @Tjmax  
R DS(on),max  
Q g,typ  
V
550  
0.299  
23  
V
• Lowest figure of merit RON x Qg  
• Ultra low gate charge  
Ω
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Quailfied according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO263  
CoolMOS CP is designed for:  
• Hard- & Softswitching SMPS topologies  
• CCM PFC for Notebook adapter, PDP and large LCD power supplies  
• PWM for Notebook adapter, PDP and large LCD power supplies  
Type  
Package  
Marking  
IPB50R299CP  
PG-TO263  
5R299P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
12  
8
Continuous drain current  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
26  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
I D=4.4 A, V DD=50 V  
I D=4.4 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
289  
0.44  
4.4  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
I AR  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...400 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
104  
-55 ... 150  
static  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 2.1  
page 1  
2009-02-23  
1234567...10

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与IPB50R299CP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB50R299CPATMA1 INFINEON

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