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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 2.26 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 798631 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Other | Samacsys Footprint Name： | PG-TO263-3-2_1 |
| Samacsys Released Date： | 2018-10-26 08:38:11 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 330 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0206 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB50N12S3L-15 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPB50R140CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
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| IPB50R140CPXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPB50R199CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPB50R250CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPB50R250CPATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPB50R299CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
|
| IPB50R299CPATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB530N15N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPB530N15N3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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