IPB50CN10NG

更新时间： 2024-10-30 03:44:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	710K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB50CN10NG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	29 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	44 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB50CN10NG 数据手册

IPB50CN10N G IPD49CN10N G

IPI50CN10N G IPP50CN10N G IPU49CN10N G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO252)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G

IPP50CN10N G IPU49CN10N G

Type

PG-TO263-3

50CN10N

PG-TO252-3

49CN10N

PG-TO262-3

50CN10N

PG-TO220-3

50CN10N

PG-TO251-3

49CN10N

Package

Marking

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D=20 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=20 A, V _DS=80 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V

jmax

Rev. 1.01

page 1

2006-06-02

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

IPB50CN10NG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPP11N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor
STP55NF06	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
SPA04N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor

与IPB50CN10NG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB50N10S3L-16	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB50N10S3L16ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.0206ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB50N12S3L-15	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IPB50R140CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPB50R140CPXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPB50R199CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPB50R250CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPB50R250CPATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPB50R299CP	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor
IPB50R299CPATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPB50CN10NG相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

19
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB50CN10NG

IPB50CN10NG 技术参数

IPB50CN10NG 数据手册

IPB50CN10NG 替代型号

与IPB50CN10NG相关器件

与IPB50CN10NG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB50CN10NG

IPB50CN10NG 技术参数

IPB50CN10NG 数据手册

IPB50CN10NG 替代型号

与IPB50CN10NG相关器件

与IPB50CN10NG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？