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IPB34CN10NGATMA1

更新时间： 2024-11-20 20:06:39
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 901K
描述
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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IPB34CN10NGATMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：47 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.034 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：58 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB34CN10NGATMA1 数据手册

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IPB34CN10NGATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB34CN10NG INFINEON

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