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IPB45N06S4-09

更新时间： 2024-10-30 11:08:43

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描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPB45N06S4-09 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IPB45N06S4-09 数据手册

IPB45N06S4-09

IPI45N06S4-09, IPP45N06S4-09

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

9.2

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

Features

• N-channel - Enhancement mode

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

4N0609

IPB45N06S4-09

IPI45N06S4-09

IPP45N06S4-09

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

180

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=22.5A

V_GS

P_tot

±20

T _C=25°C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2009-03-24

12 3 4 5 6 7...9

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