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IPB25N06S3L-22

更新时间: 2024-11-20 03:44:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 156K
描述
OptiMOS㈢-T Power-Transistor

IPB25N06S3L-22 数据手册

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IPB25N06S3L-22  
IPI25N06S3L-22, IPP25N06S3L-22  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
Features  
55  
21.3  
25  
V
• N-channel - Logic Level - Enhancement mode  
R
DS(on),max (SMD version)  
m  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
I D  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
• 100% Avalanche tested  
• ESD Class 1C (HBM)  
EIA/JESD22-A114-B  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB25N06S3L-22  
IPI25N06S3L-22  
IPP25N06S3L-22  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
SP0000-87994  
SP0000-87996  
SP0000-87993  
3N06L22  
3N06L22  
3N06L22  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
25  
25  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=12 A  
100  
60  
Avalanche energy, single pulse3)  
mJ  
Drain gate voltage2)  
Gate source voltage4)  
VDG  
VGS  
55  
V
V
±16  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
50  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2005-09-16  

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