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IPB26CN10NGATMA1

更新时间： 2024-09-15 19:49:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1047K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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IPB26CN10NGATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.81	雪崩能效等级（Eas）：	65 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB26CN10NGATMA1 数据手册

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