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IPB26CN10NG

更新时间: 2024-11-20 03:44:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
13页 711K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPB26CN10NG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
雪崩能效等级(Eas):65 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):35 A最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.026 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):71 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB26CN10NG 数据手册

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IPB26CN10N G IPD25CN10N G  
IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
25  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max (TO252)  
I D  
m  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
35  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
IPB26CN10N G IPD25CN10N G IPI26CN10N G  
IPP26CN10N G IPU25CN10N G  
Type  
PG-TO263-3  
26CN10N  
PG-TO252-3  
25CN10N  
PG-TO262-3  
26CN10N  
PG-TO220-3  
26CN10N  
PG-TO251-3  
25CN10N  
Package  
Marking  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
35  
25  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
140  
65  
I D=35 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=35 A, V DS=80 V,  
di /dt =100 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage3)  
V GS  
±20  
71  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
3)  
T
=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V  
jmax  
Rev. 1.01  
page 1  
2006-06-02  

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