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IPB26CN10NG

更新时间： 2024-11-05 03:44:19

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英飞凌 - INFINEON		/
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13页	711K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPB26CN10NG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
雪崩能效等级（Eas）：	65 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	71 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB26CN10NG 数据手册

IPB26CN10N G IPD25CN10N G

IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO252)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

IPB26CN10N G IPD25CN10N G IPI26CN10N G

IPP26CN10N G IPU25CN10N G

Type

PG-TO263-3

26CN10N

PG-TO252-3

25CN10N

PG-TO262-3

26CN10N

PG-TO220-3

26CN10N

PG-TO251-3

25CN10N

Package

Marking

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

140

I _D=35 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=35 A, V _DS=80 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V

jmax

Rev. 1.01

page 1

2006-06-02

12 3 4 5 6 7...13

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IPB26CN10NG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPP11N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor
STP55NF06	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
SPA04N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor

与IPB26CN10NG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB26CN10NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB26CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB320N20N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-
IPB320N20N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features N-channel, normal level
IPB320N20N3G_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power Transistor
IPB320P10LM	INFINEON	获取价格	D2PAK 封装型 100 V OptiMOS? P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、
IPB330P10NM	INFINEON	获取价格	D²PAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、
IPB339N20NM6	INFINEON	获取价格	IPB339N20NM6 OptiMOS? 6 200 V?is setting the new technology standard. It addresses the nee
IPB34CN10NG	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB34CN10NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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