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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 750 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 240 A | 最大漏源导通电阻： | 0.001 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 960 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB240N04S41R0ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB240N04S4-R9 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
|
| IPB25N06S3-25 | INFINEON |
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OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPB25N06S3-25_07 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB25N06S3L-22 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPB25N06S3L-22_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB25N06S3L22ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.0213ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB260N06N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
|
| IPB26CN10N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
|
| IPB26CN10N_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
|
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