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IPB240N04S4-1R0

更新时间： 2024-09-13 20:11:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	183K
描述
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263-7-3, 7/6 PIN

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IPB240N04S4-1R0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	240 A	最大漏源导通电阻：	0.001 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	960 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB240N04S4-1R0 数据手册

IPB240N04S4-1R0

OptiMOS^™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

R _DS(on)

I _D

1.0

240

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO263-7-3

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• Ultra low Rds(on)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPB240N04S4-1R0

PG-TO263-7-3

4N041R0

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C, V _GS=10V¹⁾

I _D

Continuous drain current

240

T _C=100 °C,

V _GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _AS

T _C=25 °C

960

750

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=120 A

190

V _GS

P _tot

±20

T _C=25 °C

Power dissipation

231

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2013-08-22

12 3 4 5 6 7...9

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