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IPB240N04S41R0ATMA1

更新时间： 2024-11-05 21:16:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 186K
描述
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263-7-3, 7/6 PIN

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IPB240N04S41R0ATMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.72
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：750 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：240 A
最大漏源导通电阻：0.001 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：960 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB240N04S41R0ATMA1 数据手册

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IPB240N04S4-1R0  
OptiMOS™-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
R DS(on)  
I D  
40  
1.0  
240  
V
mW  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-7-3  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• Ultra low Rds(on)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPB240N04S4-1R0  
PG-TO263-7-3  
4N041R0  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, V GS=10V1)  
I D  
Continuous drain current  
240  
240  
A
T C=100 °C,  
V GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
I AS  
T C=25 °C  
960  
750  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=120 A  
mJ  
A
-
190  
V GS  
P tot  
-
±20  
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
231  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2013-08-22  
1234567...9

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