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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 13 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB240N03S4L-R8 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IPB240N03S4L-R9 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IPB240N04S4-1R0 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB240N04S41R0ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB240N04S4-R9 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IPB25N06S3-25 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPB25N06S3-25_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB25N06S3L-22 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPB25N06S3L-22_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB25N06S3L22ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.0213ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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