是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.35 | 其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas): | 20 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 22 A | 最大漏极电流 (ID): | 22 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0146 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 31 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 88 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB22N03S4L15ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB230N06L3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor | |
IPB230N06L3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IPB240N03S4L-R8 | INFINEON |
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车规级MOSFET | |
IPB240N03S4L-R9 | INFINEON |
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车规级MOSFET | |
IPB240N04S4-1R0 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB240N04S41R0ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB240N04S4-R9 | INFINEON |
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车规级MOSFET | |
IPB25N06S3-25 | INFINEON |
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OptiMOS㈢-T Power-Transistor | |
IPB25N06S3-25_07 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |