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IPB180P04P403ATMA2

更新时间： 2024-11-19 19:37:51

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPB180P04P403ATMA2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.47	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IPB180P04P403ATMA2 数据手册

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Final Data Sheet

IPB180P04P4-03

OptiMOS^®-P2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

R_DS(on)

I_D

-40

2.8

-180

Features

• P-channel - Normal Level - Enhancement mode

PG-TO263-7-3

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Drain

Pin 4, Tab

Gate

Pin 1

Source

Pin 2, 3, 5, 6, 7

Type

Package

Marking

IPB180P04P4-03

PG-TO263-7-3

4QP0403

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C,

V_GS=-10V

Continuous drain current¹⁾

I _D

-180

-131

T _C=100°C,

V_GS=-10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

-720

I _D=-90A

Avalanche energy, single pulse

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

-180

V_GS

P_tot

±20

T _C=25 °C

Power dissipation

150

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.1

page 1

2018-01-18

12 3 4 5 6 7...9

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