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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-263 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.61 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 726343 |
| Samacsys Pin Count： | 7 | Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Other | Samacsys Footprint Name： | PG-TO263-7-3_2 |
| Samacsys Released Date： | 2017-12-31 15:44:35 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 84 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 180 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 180 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0039 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB19DP10NM | INFINEON |
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D2PAK 封装型 100 V OptiMOS? P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、 |
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| IPB200N15N3 | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPB200N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPB200N15N3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPB200N15N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB200N25N3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
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| IPB200N25N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPB200N25N3G_10 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPB200N25N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB22N03S4L-15 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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