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IPB200N25N3G

更新时间： 2024-11-05 05:39:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体栅极晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 423K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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IPB200N25N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.26雪崩能效等级（Eas）：320 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：64 A
最大漏极电流 (ID)：64 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：256 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB200N25N3G 数据手册

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IPB200N25N3 G IPP200N25N3 G  
IPI200N25N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
250  
20  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
64  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
Type  
IPB200N25N3 G  
IPP200N25N3 G  
IPI200N25N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
200N25N  
PG-TO220-3  
200N25N  
PG-TO262-3  
200N25N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
64  
46  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
256  
I D=47 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
320  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3  
Rev. 2.2  
page 1  
2009-10-23  
1234567...11

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IPB200N25N3G 替代型号

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IPP200N25N3G INFINEON

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 OptiMOSTM3 Power-Transistor

与IPB200N25N3G相关器件

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IPB200N25N3G_10 INFINEON

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IPB200N25N3GATMA1 INFINEON

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IPB22N03S4L-15 INFINEON

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IPB22N03S4L-15 ROCHESTER

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IPB22N03S4L15ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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