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IPB200N15N3GATMA1 PDF预览

IPB200N15N3GATMA1

更新时间： 2024-09-13 20:08:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 972K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB200N15N3GATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.66
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB200N15N3GATMA1 数据手册

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IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G  
IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
150  
20  
V
• N-channel, normal level  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
50  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPB200N15N3 G  
IPD200N15N3 G  
IPI200N15N3 G  
IPP200N15N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
200N15N  
PG-TO252-3  
200N15N  
PG-TO262-3  
200N15N  
PG-TO220-3  
200N15N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
50  
40  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
200  
170  
I D=50 A, R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=50 A, V DS=120 V,  
di /dt =100 A/µs,  
T j,max=175 °C  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V GS  
Gate source voltage  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
150  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3  
Rev. 2.07  
page 1  
2014-01-09  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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