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IPB03N03LA

更新时间： 2024-09-14 22:14:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 318K
描述
OptiMOS 2 Power-Transistor

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IPB03N03LA 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：960 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0041 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：220
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：385 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB03N03LA 数据手册

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IPB03N03LA  
IPI03N03LA, IPP03N03LA  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
Features  
25  
2.7  
80  
V
• Ideal for high-frequency dc/dc converters  
• N-channel  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
I D  
• Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
P-TO263-3-2  
P-TO262-3-1  
P-TO220-3-1  
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• dv /dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB03N03LA  
IPI03N03LA  
IPP03N03LA  
P-TO263-3-2  
P-TO262-3-1  
P-TO220-3-1  
Q67042-S4178  
Q67042-S4180  
Q67042-S4179  
03N03LA  
03N03LA  
03N03LA  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C1)  
I D  
Continuous drain current  
80  
80  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C2)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
385  
960  
E AS  
I D=80 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=80 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage3)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
150  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 1.3  
page 1  
2003-12-18  
1234567...10

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