Datasheet > IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G

更新时间： 2024-09-16 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	976K
描述
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB042N10N3 G 数据手册

IPB042N10N3ꢀG

MOSFET

OptiMOS^ª3ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

D²PAK

Features

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

V_DS

100

Gate

Pin 1

R_DS(on),max

I_D

4.2

mΩ

Source

Pin 3

137

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB042N10N3 G

PG-TO 263-3

042N10N

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.9,ꢀꢀ2017-07-17

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IPB042N10N3 G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB042N10N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB042N10N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB042N10N3GE8187ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB043N10NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V
IPB044N15N5	INFINEON	获取价格	英飞凌推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车
IPB048N06L	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB048N06LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB048N06LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB048N15N5	INFINEON	获取价格	英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等
IPB048N15N5ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,