5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPB03N03LAG
IPB03N03LAG PDF预览

IPB03N03LAG

更新时间： 2024-11-05 03:44:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 291K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPB03N03LAG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：960 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0041 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：385 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB03N03LAG 数据手册

 浏览型号IPB03N03LAG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB03N03LAG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB03N03LAG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB03N03LAG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB03N03LAG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB03N03LAG的Datasheet PDF文件第7页 
IPB03N03LA G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
25  
2.7  
80  
V
• Ideal for high-frequency dc/dc converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
I D  
• N-channel - Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
PG-TO263-3-2  
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Marking  
IPB03N03LA G  
PG-TO263-3-2  
03N03LA  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
80  
80  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
385  
960  
E AS  
I D=80 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=80 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
150  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.6  
page 1  
2006-05-10  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IPB03N03LAG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB03N03LA INFINEON

功能相似

 OptiMOS 2 Power-Transistor

与IPB03N03LAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB03N03LB INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB040N08NF2S INFINEON

获取价格

 		Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f
IPB041N04NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB041N04NGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB042N03LG INFINEON

获取价格

 		IPB042N03LG
IPB042N03LGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPB042N10N3 G INFINEON

获取价格

 		英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPB042N10N3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB042N10N3GATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB042N10N3GE8187ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,

与IPB03N03LAG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证