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FDMC8588

更新时间： 2024-11-18 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 366K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mΩ

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FDMC8588 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：29 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：16.5 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：26 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC8588 数据手册

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June 2012  
FDMC8588  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
25 V, 40 A, 5.7 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 5.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 16.5 A  
„ State-of-the-art switching performance  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node  
ringing of DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers. It has been optimized  
for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body  
diode reverse recovery performance.  
„ Lower output capacitance, gate resistance, and gate charge  
boost efficiency  
„ Shielded gate technology reduces switch node ringing and  
increases immunity to EMI and cross conduction  
Applications  
„ RoHS Compliant  
„ High side switching for high end computing  
„ High power density DC-DC synchronous buck converter  
Bottom  
S
Top  
Pin 1  
S
D
S
S
S
S
G
G
D
D
D
D
D
D
D
Power 33  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
(Note 5)  
25  
V
V
(Note 4)  
±12  
Drain Current - Continuous (Package limited) TC = 25 °C  
40  
- Continuous (Silicon Limited)  
- Continuous  
T
C = 25 °C  
59  
ID  
A
(Note 1a)  
(Note 3)  
16.5  
- Pulsed  
60  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
29  
26  
mJ  
W
Power Dissipation  
Power Dissipation  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
(Note 1a)  
2.4  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
4.7  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
Power 33  
08OD  
FDMC8588  
3000 units  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC8588 Rev.D3  
www.fairchildsemi.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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