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FDMC8360L PDF预览

FDMC8360L

更新时间： 2024-02-06 23:09:06
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 栅极
页数 文件大小 规格书
7页 344K
描述
N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m

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FDMC8360L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：294 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：27 A
最大漏源导通电阻：0.0021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC8360L 数据手册

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June 2013  
FDMC8360L  
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET  
40 V, 80 A, 2.1 mΩ  
Features  
General Description  
„ Shielded Gate MOSFET Technology  
„ Max rDS(on) = 2.1 mΩ at VGS = 10 V, ID = 27 A  
„ Max rDS(on) = 3.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 22 A  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced PowerTrench® process that  
incorporates Shielded Gate technology. This process has been  
optimized for the on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
„ High performance technology for extremely low  
rDS(on)  
„ Termination is Lead-free  
„ 100% UIL Tested  
Application  
„ DC-DC Conversion  
„ RoHS Compliant  
Pin 1  
Pin 1  
S
S
S
S
D
D
S
G
S
D
D
D
D
D
D
G
Top  
Bottom  
Power 33  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
40  
±20  
V
V
Drain Current  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
80  
ID  
-Continuous  
-Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 4)  
(Note 3)  
27  
A
240  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
294  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
54  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1)  
2.3  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC8360L  
FDMC8360L  
Power33  
3000 units  
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC8360L Rev. C1  
www.fairchildsemi.com  
1
1234567

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