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FDMC8360L

更新时间： 2024-02-01 14:06:48

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		栅极
页数	文件大小	规格书
7页	344K
描述
N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m

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技术参数
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FDMC8360L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFN
包装说明：	ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.73
雪崩能效等级（Eas）：	294 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	27 A
最大漏源导通电阻：	0.0021 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-240BA	JESD-30 代码：	S-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMC8360L 数据手册

Typical Characteristics T_J= 25 °C unless otherwise noted

240

V_GS= 10 V

V_GS= 3 V

V_GS= 4.5 V

180

V_GS= 3.5 V

V_GS= 4 V

120

V_GS= 4 V

V_GS= 3.5 V

PULSE DURATION = 80 μs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

PULSE DURATION = 80 μs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

V_GS= 10 V

V_GS= 4.5 V

V_GS= 3 V

0.5

0.0

1.0 1.5

2.0

120

180

240

I_D, DRAIN CURRENT (A)

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure2. N o r m a l i z e d O n - R e s i s ta n c e

vs Drain Current and Gate Voltage

1.8

PULSE DURATION = 80 μs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

I_D= 27 A

_GS= 10 V

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

T_J= 125 ^o

T_J= 25 ^o

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (^oC)

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

F i gu re 3 . N orma li zed On - Res is ta nc e

vs Junction Temperature

Figure4. On-Resistance vs Gate to

Source Voltage

240

100

V_GS= 0 V

PULSE DURATION = 80 μs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

180

V_DS= 5 V

T_J= 150 ^o

T_J= 25 ^o

120

T_J= 150 ^o

0.1

T_J= 25 ^o

T_J= -55 ^o

0.01

T_J= -55 ^o

0.001

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

V_SD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 5. Transfer Characteristics

Figure6. Source to Drain Diode

Forward Voltage vs Source Current

FDMC8360L Rev. C1

www.fairchildsemi.com

1 234 5 6 7

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