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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MLP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.92 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 72 A | 最大漏极电流 (ID)： | 16.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-F8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 41 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSZ035N03LS G | INFINEON |
功能相似  |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
|
| FDMC8554 | ONSEMI |
功能相似 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，20V，16.5A，5mΩ |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC8588 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5. |
|
| FDMC8588 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，40A，5.7mΩ |
|
| FDMC8588DC | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5. |
|
| FDMC8588DC | ONSEMI |
获取价格 |
25V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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| FDMC86012 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，88A，2.7mΩ |
|
| FDMC86102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 20 A, 2 |
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| FDMC86102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，20 A，24 m |
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| FDMC86102_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 20 A, |
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| FDMC86102L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDMC86102L | ONSEMI |
获取价格 |
100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET |
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