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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.73 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 294 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 27 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0021 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-240BA | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 54 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FDMC8360LET40 | ONSEMI | N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，141A，2.1mΩ |
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| FDMC8462 | FAIRCHILD | N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 40V, 20A, 5.8 |
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| FDMC8462 | ONSEMI | N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V，20A，5.8mΩ |
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| FDMC8554 | FAIRCHILD | N-Channel Power Trench MOSFET 20V, 16.5A, 5mohm |
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| FDMC8554 | ONSEMI | N 沟道，Power Trench® MOSFET，20V，16.5A，5mΩ |
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| FDMC8588 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5. |
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