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FDMC2674 PDF预览

FDMC2674

更新时间： 2024-10-29 11:15:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 259K
描述
N 沟道，UltraFET Trench MOSFET，220V，7.0A，366mΩ

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FDMC2674 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.95
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：13 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：220 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：0.366 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.4 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：13.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC2674 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
UltraFET Trench  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
220 V  
366 mW @ 10 V  
7.0 A  
220 V, 7.0 A, 366 mW  
D
5
4
G
FDMC2674  
General Description  
UltraFET device combines characteristics that enable benchmark  
efficiency in power conversion applications. Optimized for R  
low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal  
for high frequency DC to DC converters.  
D
D
6
7
3
2
1
S
S
,
DS(on)  
8
S
D
N-CHANNEL MOSFET  
Pin 1  
Features  
• Max R  
= 366 mW at V = 10 V, I = 1.0 A  
GS D  
DS(on)  
• Typ Q = 12.7 nC at V = 10 V  
g
GS  
S
8
S
7
S
• Low Miller Charge  
6
G
5
• Low Q Body Diode  
rr  
D
1
D
• Optimized Efficiency at High Frequencies  
• UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
• Pb−Free, Halide Free and RoHS Compliant  
2
D
3
D
4
Top  
Bottom  
WDFN8 3.3 y 3.3, 0.65P  
CASE 511DH  
Applications  
• DC−DC Converters and Off−Line UPS  
• Distributed Power Architectures  
MARKING DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
FDMC  
2674  
ALYW  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Value  
220  
20  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
Gate to Source Voltage  
V
I
D
Drain Current:  
A
Continuous (Silicon limited)  
Continuous (Note 1b)  
Pulsed  
T
A
= 25°C  
7.0  
1.0  
13.8  
C
FDMC2674 = Specific Device Code  
T = 25°C  
A
= Assembly Site  
L
YW  
= Wafer Lot Number  
= Assembly Start Week  
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation:  
11  
mJ  
W
AS  
P
D
T
= 25°C  
42  
2.1  
C
T = 25°C (Note 1a)  
ORDERING INFORMATION  
A
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature  
Range  
−55 to  
°C  
J
STG  
†
+150  
Device  
FDMC2674  
Package  
Shipping  
3000 /  
Tape & Reel  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
WDFN8  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Note 1)  
3.0  
°C/W  
R
q
JC  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
60  
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 6  
FDMC2674/D  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC2674_07 FAIRCHILD

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 		N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A,
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FDMC2D8N025S ONSEMI

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 		N-Channel MOSFET

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