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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMC2674
FDMC2674 PDF预览

FDMC2674

更新时间： 2024-10-28 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 334K
描述
N-Channel UltraFET Trench MOSFET

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FDMC2674 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.44
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：13 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：220 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：0.366 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC2674 数据手册

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May 2006  
FDMC2674  
tm  
N-Channel UltraFET Trench® MOSFET  
220V, 1A, 366mΩ  
Features  
„ Max rDS(on) = 366mΩ at VGS = 10V, ID = 1A  
General Description  
UltraFET® device combines characteristics that enable  
benchmark efficiency in power conversion applications.  
Optimized for rDS(on), low ESR, low total and Miller gate  
charge, these devices are ideal for high frequency DC to  
DC converters.  
„ Typ Qg = 12.7nC at VGS = 10V  
„ Low Miller charge  
„ Low Qrr Body Diode  
Applications  
„ Optimized efficiency at high frequencies  
„ DC/DC converters and Off-Line UPS  
„ UIS Capability ( Single Pulse and Re-  
petitive Pulse)  
„ Distributed Power Architectures  
„ RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
8
D
7
5
6
7
8
4
3
2
1
D
6
5
D
D
1
2
G
S
3
4
S
S
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
220  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
V
V
±20  
1
ID  
A
13.8  
13  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
mJ  
W
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
Operating and Storage Temperature  
2.4  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance , Junction to Ambient  
Thermal Resistance , Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
52  
°C/W  
°C/W  
108  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDMC2674  
FDMC2674  
MLP 3.3 x 3.3  
7’’  
3000 units  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC2674 Rev. E  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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