是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SSOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 3.02 |
Samacsys Description: | FDC604P, P-channel MOSFET Transistor, -5.5A -20V, 6-Pin SuperSOT | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.031 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.6 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDC602P | ONSEMI |
功能相似 |
P 沟道 PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.5A,3 | |
SI3433CDV-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI3469DV-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDC604P_01 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDC604P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
FDC604P-F073 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor | |
FDC606P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDC606P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,1.8V 指定,-12V,-6A,26m | |
FDC606P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
FDC608PZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDC608PZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.8A,3 | |
FDC608PZ-F171 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.8A,3 | |
FDC610PZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |