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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.026 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC608PZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| FDC608PZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-5.8A，3 |
|
| FDC608PZ-F171 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-5.8A，3 |
|
| FDC610PZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDC610PZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4.9A，42mΩ |
|
| FDC610PZ | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
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| FDC6301 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel , Digital FET |
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| FDC6301N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel , Digital FET |
|
| FDC6301N | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，数字 FET，25V，0.22A，4Ω |
|
| FDC6301N_01 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel , Digital FET |
|
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