5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC6303 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Digital FET, Dual N-Channel |
|
| FDC6303N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Digital FET, Dual N-Channel |
|
| FDC6303N | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，数字 FET，25V，0.68A，0.45Ω |
|
| FDC6304P | FAIRCHILD |
获取价格 |
Digital FET, Dual P-Channel |
|
| FDC6304P | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，数字 FET，-25V，-0.46A，1.1Ω |
|
| FDC6304PD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDC6304PD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDC6304PS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDC6305 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDC6305N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
