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FDC6312PL99Z

更新时间： 2024-11-06 21:10:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 88K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6312PL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：0.115 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC6312PL99Z 数据手册

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January 2001  
FDC6312P  
Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel 1.8V specified MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain low  
gate charge for superior switching performance.  
• –2.3 A, –20 V. RDS(ON) = 115 mΩ @ VGS = –4.5 V  
DS(ON) = 155 mΩ @ VGS = –2.5 V  
R
RDS(ON) = 225 mΩ @ VGS = –1.8 V  
• High performance trench technology for extremely  
Applications  
low RDS(ON)  
• Power management  
• Load switch  
• SuperSOTTM-6 package: small footprint (72%  
smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick)  
D2  
S1  
4
5
6
3
2
1
D1  
G2  
S2  
SuperSOT TM-6  
G1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
–20  
Units  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±8  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–2.3  
–7  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.96  
PD  
W
0.9  
0.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
130  
60  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.312  
FDC6312P  
13’’  
12mm  
3000 units  
FDC6312P Rev C (W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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与FDC6312PL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC6318 FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6318P FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6318P ONSEMI

获取价格

 		双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，1.8V 指定，-12V，-2.5A
FDC6318P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6318PD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6320 FAIRCHILD

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 		Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6320C FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6320C ONSEMI

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 		双 N 和 P 沟道数字 FET，25V
FDC6320C_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC6320CD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,

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