Datasheet > FDC6320CL99Z

FDC6320CL99Z

更新时间： 2024-11-06 18:59:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	106K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDC6320CL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	0.22 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC6320CL99Z 数据手册

October 1997

FDC6320C

Dual N & P Channel , Digital FET

General Description

Features

N-Ch 25 V, 0.22 A, R_DS(ON)= 5 W @ V_GS= 2.7 V.

These dual N & P Channel logic level enhancement mode field

effec transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state resistance.

The device is an improved design especially for low voltage

applications as a replacement for bipolar digital transistors in

load switching applications. Since bias resistors are not

required, this dual digital FET can replace several digital

transistors with difference bias resistors.

P-Ch 25 V, -0.12 A, R_DS(ON)= 13 W @ V_GS= -2.7 V.

Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3 V circuits. V_GS(th)< 1.5 V.

Gate-Source Zener for ESD ruggedness.

>6kV Human Body Model

Replace NPN & PNP digital transistors.

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOT-23

SOIC-16

SO-8

SOT-223

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

N-Channel

P-Channel

Units

V_DSS, V_CCDrain-Source Voltage, Power Supply Voltage

-25

-8

Gate-Source Voltage,

Drain/Output Current

V_GSS, V_IN

I_D, I_O

- Continuous

- Pulsed

0.22

0.5

-0.12

-0.5

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.9

P_D

0.7

Operating and Storage Tempature Ranger

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

ESD

Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D

Human Body Model (100pf / 1500 Ohm)

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_q_J_C

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

140

°C/W

FDC6320C.Rev C

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与FDC6320CL99Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC6320CS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC6321C	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6321C	ONSEMI	获取价格	双 N 和 P 沟道，数字 FET，25V
FDC6321C_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Chann
FDC6321CD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Chann
FDC6321CD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC6321CL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Chann
FDC6321CS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Chann
FDC6322	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6322C	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P Channel , Digital FET

与FDC6320CL99Z相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDC6320CL99Z

FDC6320CL99Z 技术参数

FDC6320CL99Z 数据手册

与FDC6320CL99Z相关器件

与FDC6320CL99Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDC6320CL99Z

FDC6320CL99Z 技术参数

FDC6320CL99Z 数据手册

与FDC6320CL99Z相关器件

与FDC6320CL99Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？