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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> FDC6325L
FDC6325L PDF预览

FDC6325L

更新时间： 2024-11-08 22:36:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 100K
描述
Integrated Load Switch

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FDC6325L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：LSSOP, TSOP6,.11,37针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.4
Is Samacsys：N驱动器位数：1
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3长度：2.92 mm
湿度敏感等级：1端子数量：6
输出电流流向：SOURCE最大输出电流：1.8 A
标称输出峰值电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5/8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.22 mm
子类别：Peripheral Drivers表面贴装：YES
技术：MOS端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：1.6 mmBase Number Matches：1

FDC6325L 数据手册

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August 1998  
FDC6325L  
Integrated Load Switch  
General Description  
Features  
VDROP=0.2V @ VIN=5V, IL=1.5A. R(ON) = 0.13W  
This device is particularly suited for compact power  
management in portable electronic equipment where  
2.5V to 8V input and 1.8A output current capability are  
needed. This load switch integrates a small N-Channel  
power MOSFET (Q1) which drives a large P-Channel  
power MOSFET (Q2) in one tiny SuperSOTTM-6  
package.  
VDROP=0.2V @ VIN=3.3V, IL=1.2A. R(ON) = 0.16W  
VDROP=0.2V @ VIN=2.5V, IL=1A. R(ON) = 0.18W.  
SuperSOTTM-6 package design using copper lead frame  
for superior thermal and electrical capabilities.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOT-23  
SOIC-16  
SO-8  
SOT-223  
EQUIVALENT CIRCUIT  
Vout,C1  
Vout,C1  
R2  
3
2
1
Vin,R1  
4
VD  
Q 2  
R
O P  
+
-
O U T  
IN  
ON/OFF  
5
Q 1  
ON/OFF  
6
R1,C1  
1
pin  
SuperSOT TM-6  
See Application Circuit  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
FDC6325L  
2.5 - 8  
1.5 - 8  
1.8  
Units  
VIN  
Input Voltage Range  
On/Off Voltage Range  
Load Current  
V
V
A
VON/OFF  
IL  
- Continuous  
- Pulsed  
(Note 1)  
(Note 1 & 3)  
(Note 2)  
5
PD  
Maximum Power Dissipation  
0.7  
W
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
ESD  
Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D Human Body  
Model (100pf/1500Ohm)  
6
kV  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 2)  
(Note 2)  
180  
60  
°C/W  
°C/W  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC6325L Rev.D1  
12345

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FDC6325L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDC6323L FAIRCHILD

完全替代

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FDC6323L ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定
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FDC6327CD87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC6327C-F169 ONSEMI

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