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FDC6321CL99Z

更新时间： 2024-11-06 14:42:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	305K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6321CL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	0.00068 A	最大漏源导通电阻：	0.45 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC6321CL99Z 数据手册

April 1999

FDC6321C

Dual N & P Channel , Digital FET

General Description

Features

These dual N & P Channel logic level enhancement mode

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance. This device has been designed

especially for low voltage applications as a replacement for

digital transistors in load switching applications. Since bias

resistors are not required this dual digital FET can replace

several digital transistors with different bias resistors.

N-Ch 25 V, 0.68 A, R_DS(ON)= 0.45 W @ V_GS= 4.5 V

P-Ch -25 V, -0.46 A, R_DS(ON)= 1.1 W @ V_GS= -4.5 V.

Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3 V circuits. V_GS(th)< 1.0V.

Gate-Source Zener for ESD ruggedness.

>6kV Human Body Model

Replace multiple dual NPN & PNP digital transistors.

SuperSOT^TM-6

Mark:.321

SuperSOT^TM-8

SOT-23

SOIC-16

SO-8

SOT-223

SuperSOT ^TM-6

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol

Parameter

N-Channel

P-Channel

-25

Units

V_DSS, V_CCDrain-Source Voltage, Power Supply Voltage

V_GSS, V_INGate-Source Voltage,

-8

I_D, I_O

Drain/Output Current

- Continuous

- Pulsed

0.68

-0.46

-1.5

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.9

0.7

-55 to 150

T_J,T_STG

ESD

Operating and Storage Tempature Ranger

°C

Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D

Human Body Model (100pf / 1500 Ohm)

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

140

°C/W

(Note 1)

FDC6321C.RevB

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC6321CS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Chann
FDC6322	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6322C	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6322C_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC6322CD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
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