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FDC6322C_NL

更新时间： 2024-09-16 21:00:31

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	100K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6322C_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SUPERSOT-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	0.22 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC6322C_NL 数据手册

November 1997

FDC6322C

Dual N & P Channel , Digital FET

General Description

Features

N-Ch 25 V, 0.22 A, R_DS(ON)= 5 W @ V_GS= 2.7 V.

These dual N & P Channel logic level enhancement mode field

effec transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state resistance.

The device is an improved design especially for low voltage

applications as a replacement for bipolar digital transistors in

load switching applications. Since bias resistors are not

required, this dual digital FET can replace several digital

transistors with difference bias resistors.

P-Ch 25 V, -0.46 A, R_DS(ON)= 1.5 W @ V_GS= -2.7 V.

Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3 V circuits. V_GS(th)< 1.5 V.

Gate-Source Zener for ESD ruggedness.

>6kV Human Body Model

Replace NPN & PNP digital transistors.

SuperSOT^TM-6

Mark: .322

SuperSOT^TM-8

SOT-23

SOIC-16

SO-8

SOT-223

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

N-Channel

P-Channel

Units

V_DSS, V_CCDrain-Source Voltage, Power Supply Voltage

-25

-8

Gate-Source Voltage,

Drain/Output Current

V_GSS, V_IN

I_D, I_O

- Continuous

- Pulsed

0.22

0.5

-0.46

-1

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.9

P_D

0.7

Operating and Storage Tempature Ranger

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

ESD

Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D

Human Body Model (100pf / 1500 Ohm)

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_q_J_C

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

140

°C/W

FDC6322C.Rev B1

12 3 4 5 6 7 8

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