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FDC6327C

更新时间： 2024-11-20 22:36:55

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	323K
描述
Dual N & P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

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FDC6327C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SSOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	3.27
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A	最大漏极电流 (ID)：	2.7 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.96 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC6327C 数据手册

July 2000

FDC6327C

Dual N & P-Channel 2.5V Specified PowerTrench^TMMOSFET

Features

General Description

These N & P-Channel 2.5V specified MOSFETs are

produced using Fairchild Semiconductor's advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize on-state resistance and yet maintain low gate

charge for superior switching performance.

• N-Channel 2.7A, 20V. R_DS(on)= 0.08Ω @ V_GS= 4.5V

R_DS(on)= 0.12Ω @ V_GS= 2.5V

• P-Channel -1.6A, -20V.R_DS(on)= 0.17Ω @ V_GS= -4.5V

R_DS(on)= 0.25Ω @ V_GS= -2.5V

• Fast switching speed.

These devices have been designed to offer exceptional power

dissipation in a very small footprint for applications where

the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages

are impractical.

• Low gate charge.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• DC/DC converter

• Load switch

• SuperSOT^TM-6 package: small footprint (72% smaller

than SO-8); low profile (1mm thick).

• Motor driving

SuperSOT^TM-6

T_A= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DSS

Parameter

N-Channel

P-Channel

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-20

V_GSS

(Note 1a)

I_D

2.7

-1.9

-8

(Note 1a)

(Note 1b)

P_D

Power Dissipation

0.96

0.9

(Note 1c)

0.7

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

(Note 1a)

(Note 1)

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

130

C/W

θ^JA

θ^JC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

.327

FDC6327C

7”

8mm

3000

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDC6327C, Rev. E

12 3 4 5 6 7...12

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FDC6327C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDC6333C	FAIRCHILD	类似代替	30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
SI3586DV-T1-GE3	VISHAY	功能相似	N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3588DV-T1-E3	VISHAY	功能相似	N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与FDC6327C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC6327CD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDC6327C-F169	ONSEMI	获取价格	双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定
FDC6329L	FAIRCHILD	获取价格	Integrated Load Switch
FDC6329L	ONSEMI	获取价格	集成式负载开关
FDC6329L_NL	FAIRCHILD	获取价格	Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, MOS, PDSO6, SOT-6
FDC6330	FAIRCHILD	获取价格	Integrated Load Switch
FDC6330L	FAIRCHILD	获取价格	Integrated Load Switch
FDC6330L	ONSEMI	获取价格	集成式负载开关
FDC6330L_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDC6331L	FAIRCHILD	获取价格	Integrated Load Switch

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