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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDC634P
FDC634P PDF预览

FDC634P

更新时间： 2024-02-29 09:07:37
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 74K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDC634P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.22
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.08 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC634P 数据手册

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November 1997  
FDC634P  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
-3.5 A, -20 V. RDS(ON) = 0.080 W @ VGS = -4.5 V  
These P-Channel logic level enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance. These devices are particularly suited  
for low voltage applications such as cellular phone and  
notebook computer power management and other battery  
powered circuits where high-side switching, and low in-line  
power loss are needed in a very small outline surface  
mount package.  
RDS(ON) = 0.110 W @ VGS = -2.5 V.  
SuperSOTTM-6 package design using copper lead frame for  
superior thermal and electrical capabilities.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
Exceptional on-resistance and maximum DC current  
capability.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-223  
SO-8  
SOT-23  
S
1
6
5
4
D
D
2
3
G
D
pin  
1
SuperSOTTM -6  
D
Absolute Maximum RatingsTA = 25°C unless otherwise note  
Symbol Parameter  
FDC634P  
Units  
Drain-Source Voltage  
-20  
±8  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage - Continuous  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
-3.5  
-11  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
0.8  
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
°C/W  
°C/W  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDC634P Rev.C  
1234

中文翻译

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FDC634P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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