FDC634P

更新时间： 2024-11-20 22:49:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
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4页	74K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDC634P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SSOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.19
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	166987	Samacsys Pin Count：	6
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SSOT 6L	Samacsys Released Date：	2015-04-13 16:42:54
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC634P 数据手册

November 1997

FDC634P

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-3.5 A, -20 V. R_DS(ON)= 0.080 W @ V_GS= -4.5 V

These P-Channel logic level enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance. These devices are particularly suited

for low voltage applications such as cellular phone and

notebook computer power management and other battery

powered circuits where high-side switching, and low in-line

power loss are needed in a very small outline surface

mount package.

R_DS(ON)= 0.110 W @ V_GS= -2.5 V.

SuperSOT^TM-6 package design using copper lead frame for

superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-223

SO-8

SOT-23

SuperSOT^TM-6

Absolute Maximum RatingsT_A= 25°C unless otherwise note

Symbol Parameter

FDC634P

Units

Drain-Source Voltage

-20

±8

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-3.5

-11

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

0.8

T_J,T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

FDC634P Rev.C

12 3 4

中文翻译

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FDC634P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDC655BN	FAIRCHILD	类似代替	Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
NTUD3169CZT5G	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−96
NTUD3170NZT5G	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N−Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT−963 Pack

与FDC634P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC634P_01	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC634P_NF073	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC634P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC634PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC634PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC634P-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDC634P-G	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDC634PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC634PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC636P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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